600V GaN FET 전력 스테이지 디바이스 썸네일형 리스트형 TI, 600V GaN FET 전력 스테이지 디바이스 출시로 고성능 전력 변환의 혁신 제공 TI가 600V GaN FET 전력 스테이지 디바이스를 출시했다. 수십 년 간 전원 관리 기술의 혁신을 이어온 TI(대표이사 켄트 전)는 600V 질화갈륨(GaN) 70mΩ FET(field-effect transistor) 전력 스테이지 엔지니어링 샘플을 제공한다고 밝혔다. 이로써 TI는 공식적으로 고전압 드라이버를 통합한 GaN 솔루션을 제공하는 최초이자 유일한 반도체 제조업체가 됐다. 신제품 12A LMG3410 전력 스테이지 디바이스는 TI의 아날로그 및 디지털 파워 변환 컨트롤러를 결합함으로써 기존 실리콘 FET 기반의 솔루션을 사용하는 것보다 더 작고 보다 효율적이며, 성능이 우수한 설계를 구현할 수 있다. 특히 절연형 고전압 산업용, 통신, 엔터프라이즈 컴퓨팅 및 재생에너지와 같은 파워 애플.. 더보기 이전 1 다음